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1 buried channel structure
Engineering: BCSУниверсальный русско-английский словарь > buried channel structure
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2 структура со скрытым каналом
Русско-английский словарь по микроэлектронике > структура со скрытым каналом
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3 структура со скрытым каналом
Engineering: buried channel structureУниверсальный русско-английский словарь > структура со скрытым каналом
См. также в других словарях:
buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à canal caché — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Channel Tunnel — Map of the Channel Tunnel Overview Location English Channel (Strait of Dover) Coordinates Folkestone … Wikipedia
Channel Islands — a British island group in the English Channel, near the coast of France, consisting of Alderney, Guernsey, Jersey, and smaller islands. 126,156; 75 sq. mi. (194 sq. km). * * * I Island dependencies, United Kingdom. Located in the English Channel… … Universalium
MOP darinys su paslėptuoju kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit vergrabenem Kanal, f rus. МОП структура… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-структура со скрытым каналом — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
SIT/SITh (Static Induction Transistor/Thyristor) — The static induction thyristor (SI thyristor, SITh) is a thyristor with a buried gate structure in which the gate electrodes are placed in n base region. Since they are normally on state, gate electrodes must be negatively biased to hold off… … Wikipedia
DCPBH — Dual Channel Planer Buried Hetero structure … Acronyms